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VISHAY N+Pチャンネル パワーMOSFET 3.9 A、5.3 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（2500個入） SI4559ADY-T1-GE3 1セット(2500個入)
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型番/商品コード: MYOWBC1OEGU
参考価格: 444,780円
284,659円 （税込・送料無料）
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商品仕様・詳細情報
●デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
●入数：1リール（2500個入）
●チャンネルタイプ：N, P
●最大連続ドレイン電流：3.9 A、5.3 A
●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
●最大ドレイン-ソース間抵抗：72 mΩ, 150 mΩ
●最低ゲートしきい値電圧：1V
●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
●パッケージタイプ：SOIC
●実装タイプ：表面実装
●ピン数：8
●チャンネルモード：エンハンスメント型
●カテゴリー：パワーMOSFET
●最大パワー消費：3.1 W、3.4 W
●動作温度 Max：+150 °C
●RoHS適合状況：適合
●コード番号：919-0297
シリーズ名:VISHAY
ブランド名:VISHAY
メーカー型番:SI4559ADY-T1-GE3
原産国／製造国:-
代表カラー:-
●入数：1リール（2500個入）
●チャンネルタイプ：N, P
●最大連続ドレイン電流：3.9 A、5.3 A
●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
●最大ドレイン-ソース間抵抗：72 mΩ, 150 mΩ
●最低ゲートしきい値電圧：1V
●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
●パッケージタイプ：SOIC
●実装タイプ：表面実装
●ピン数：8
●チャンネルモード：エンハンスメント型
●カテゴリー：パワーMOSFET
●最大パワー消費：3.1 W、3.4 W
●動作温度 Max：+150 °C
●RoHS適合状況：適合
●コード番号：919-0297
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